常見電腦內(nèi)存型號基礎(chǔ)知識

　　接觸過電腦的朋友都清楚電腦內(nèi)存有DDR1、DDR2和DDR3，一般電腦專業(yè)人員稱為一代內(nèi)存、二代內(nèi)存和三代內(nèi)存，下面小編為大家介紹關(guān)于常見電腦內(nèi)存型號基礎(chǔ)知識，歡迎大家閱讀!

　　常見電腦內(nèi)存型號基礎(chǔ)知識

　　1.突發(fā)長度(BurstLength，BL)

　　由于DDR3的預(yù)取為8bit，所以突發(fā)傳輸周期(BurstLength，BL)也固定為8，而對于DDR2和早期的DDR架構(gòu)系統(tǒng)，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4bitBurstChop(突發(fā)突變)模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發(fā)模式。而且需要指出的是，任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3內(nèi)存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發(fā)傳輸控制(如4bit順序突發(fā))。

　　2.尋址時序(Timing)

　　就像DDR2從DDR轉(zhuǎn)變而來后延遲周期數(shù)增加一樣，DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的.CL范圍一般在2～5之間，而 DDR3則在5～11之間，且附加延遲(AL)的設(shè)計也有所變化。DDR2時AL的范圍是0～4，而DDR3時AL有三種選項(xiàng)，分別是0、CL-1和 CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序參數(shù)——寫入延遲(CWD)，這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作頻率而定。

　　3.DDR3新增的重置(Reset)功能

　　重置是DDR3新增的一項(xiàng)重要功能，并為此專門準(zhǔn)備了一個引腳。DRAM業(yè)界很早以前就要求增加這一功能，如今終于在DDR3上實(shí)現(xiàn)了。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡單。當(dāng)Reset命令有效時，DDR3內(nèi)存將停止所有操作，并切換至最少量活動狀態(tài)，以節(jié)約電力。

　　在Reset期間，DDR3內(nèi)存將關(guān)閉內(nèi)在的大部分功能，所有數(shù)據(jù)接收與發(fā)送器都將關(guān)閉，所有內(nèi)部的程序裝置將復(fù)位，DLL(延遲鎖相環(huán)路)與時鐘電路將停止工作，而且不理睬數(shù)據(jù)總線上的任何動靜。這樣一來，將使DDR3達(dá)到最節(jié)省電力的目的。

　　4.DDR3新增ZQ校準(zhǔn)功能

　　ZQ也是一個新增的腳，在這個引腳上接有一個240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳通過一個命令集，通過片上校準(zhǔn)引擎(On- DieCalibrationEngine，ODCE)來自動校驗(yàn)數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動器導(dǎo)通電阻與ODT的終結(jié)電阻值。當(dāng)系統(tǒng)發(fā)出這一指令后，將用相應(yīng)的時鐘周期(在加電與初始化之后用512個時鐘周期，在退出自刷新操作后用256個時鐘周期、在其他情況下用64個時鐘周期)對導(dǎo)通電阻和ODT電阻進(jìn)行重新校準(zhǔn)。

　　5.參考電壓分成兩個

　　在DDR3系統(tǒng)中，對于內(nèi)存系統(tǒng)工作非常重要的參考電壓信號VREF將分為兩個信號，即為命令與地址信號服務(wù)的VREFCA和為數(shù)據(jù)總線服務(wù)的VREFDQ，這將有效地提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)總線的信噪等級。

　　6.點(diǎn)對點(diǎn)連接(Point-to-Point，P2P)

　　這是為了提高系統(tǒng)性能而進(jìn)行的重要改動，也是DDR3與DDR2的一個關(guān)鍵區(qū)別。在DDR3系統(tǒng)中，一個內(nèi)存控制器只與一個內(nèi)存通道打交道，而且這個內(nèi)存通道只能有一個插槽，因此，內(nèi)存控制器與DDR3內(nèi)存模組之間是點(diǎn)對點(diǎn)(P2P)的關(guān)系(單物理Bank的模組)，或者是點(diǎn)對雙點(diǎn)(Point-to-two-Point，P22P)的關(guān)系(雙物理Bank的模組)，從而大大地減輕了地址/命令/控制與數(shù)據(jù)總線的負(fù)載。而在內(nèi)存模組方面，與DDR2的類別相類似，也有標(biāo)準(zhǔn)DIMM(臺式PC)、SO-DIMM/Micro-DIMM(筆記本電腦)、FB-DIMM2(服務(wù)器)之分，其中第二代FB-DIMM將采用規(guī)格更高的AMB2(高級內(nèi)存緩沖器)。

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